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多铁材料是一种导电场和磁场共同存在的罕见材料,而在极小的空间储藏最大量的数据和信息则是科学家和公众的共同梦想。研究人员认为多铁材料是实现这种梦幻记忆设备的一把钥匙。
研究人员研究了一种设备,电子可穿越其中一张非常之薄的多铁薄膜。因为这张薄膜的电性和磁性共存,所以电子穿越整个薄膜时的电阻发生了变化,这种性质正是记忆设备的基本要求。最重要的是,多铁薄膜中电场和磁场共存的特点意味着可以在这种设备中用电子或磁性写作,再用电子方式阅读。与商业化的铁电和磁性材料储存相比,这种新材料代表了技术上一个进步,因为它在综合这两项技术长处的同时避免了它们的短处。(摘编上海硅酸盐研究所网)

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